-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为30A，最大漏源电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。基于碳化硅材料特性，器件在高频工作条件下具有较低的开关与导通损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及储能设备等，有助于提升整体能效并简化热管理设计。