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该N沟道碳化硅MOSFET具有32A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，在栅源电压范围-10V至@5V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频、高压条件下展现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。其电气参数组合有助于简化驱动设计并提升系统整体能效表现。