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该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流（ID）为108A，漏源击穿电压（VDSS）达650V，导通电阻（RDS(ON)）为20mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至@5V。器件凭借碳化硅材料特性，在高频开关应用中表现出优异的导通与开关性能，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，可有效降低能量损耗并提升整体运行效率。