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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为36A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为75mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。器件依托碳化硅材料的高热导率与高击穿场强，在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和体积有严苛要求的电源转换系统。其负栅压能力有助于增强关断可靠性，提升在复杂电气环境下的运行稳定性。