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该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流（ID）为99A，漏源击穿电压（VDSS）达650V，导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件结合碳化硅材料特性，在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高密度电力电子装置。