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该N沟道碳化硅MOSFET具备37A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻低至75mΩ，可在栅源电压-8V至@0V范围内可靠运行。凭借碳化硅材料的高热导率与宽禁带特性，器件在高频开关条件下仍保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场合。其电气性能有助于简化散热设计并提升系统整体稳定性。