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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为32A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与高耐压特性，适用于高频、高效率的电源转换系统。其宽栅压范围提升了驱动兼容性，同时在高温环境下仍能保持稳定电气性能，适合用于对体积和热管理有较高要求的电力电子应用。