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该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的漏极电流能力与650V的漏源耐压，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的高击穿电场与优异热导率，器件在高频开关操作中表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子模块等场景，能够有效提升系统整体性能与可靠性。