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该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为26mΩ，栅源驱动电压（VGS）范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压与大电流条件下仍能维持较低的导通损耗和优异的开关性能，适用于高频电源转换、可再生能源系统及高效率电力电子设备等场景，满足对紧凑布局与热管理有较高要求的应用需求。
