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该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为99A，漏源电压额定值为650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗与高开关速度特性，适用于高效率、高频率的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及储能设备等，在紧凑型设计和高温运行环境中表现出良好的电气稳定性与热性能。