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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为32A，漏源电压耐压达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高频开关特性与热稳定性，在高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力变换等应用中可有效降低导通与开关损耗，提升整体能效表现。其电气参数适合在对体积、效率和可靠性有较高要求的电力电子设计中使用。