-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为55A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换系统。其宽驱动电压范围增强了栅极控制的灵活性，同时在高温环境下仍能保持稳定电气性能，适合用于对体积、效率及热管理有较高要求的电力电子应用中。