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该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻典型值为44mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。凭借碳化硅材料的高热导率与低开关损耗特性，器件适用于高频、高效率的功率转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及储能设备中的直流-交流或直流-直流变换环节，在严苛电气环境下仍能维持稳定运行。