-------<点击了解更多 + 购买>-------

该碳化硅场效应管（MOSFET）为N沟道类型，最大漏极电流ID为30A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高频开关特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时在高温或高频率工作条件下仍能保持稳定性能。