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该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至20mΩ，适用于高效率功率转换场景。其栅源驱动电压范围为-10V至@5V，具备良好的开关特性与热稳定性，能够在高频工作条件下保持较低的导通与开关损耗，适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。