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该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻典型值为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高性能计算设备中的电力管理模块。