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该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与热导率，在高频、高压条件下表现出较低的导通损耗和良好的热稳定性，适用于高效率电源、可再生能源逆变系统以及对体积和能效有较高要求的电力电子设备。