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该N沟道碳化硅MOSFET具备32A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中展现出较低的导通损耗与优异的热性能，适用于高效率电源转换、可再生能源系统以及对体积紧凑性和散热效率有明确要求的电力电子设备。