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该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为99A，漏源电压额定值为650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，具备快速开关能力与低导通损耗，在高频率操作下仍能维持高效能表现。适用于对转换效率和热性能要求较高的电源系统，如高频开关变换器、可再生能源并网设备及高密度电能转换装置等应用场合。