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该N沟道MOSFET的连续漏极电流为35A，最大漏源电压为30V，导通电阻典型值为7.5毫欧。其低导通电阻有助于降低导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较低温升。器件适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换、负载开关及同步整流等应用场合。由于具备良好的开关特性和稳定的电气参数，可在多种电子系统中实现可靠的功率控制与管理。