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该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为500V，连续漏极电流（ID）为5A，导通电阻（RDS(ON)）为1300毫欧。器件在高电压条件下仍能维持稳定工作，适用于对耐压能力有明确要求的电子开关电路。其N沟道结构便于与常用驱动逻辑配合，在电源管理、电机控制及各类中低功率电子设备中可实现可靠的通断控制。参数特性使其在兼顾效率与安全性的应用场景中具备实用价值。
