-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，导通电阻低至7.3毫欧，在栅源电压达20V时仍能稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高功率开关场景。器件结构支持快速开关操作，可有效提升系统整体响应速度与能效表现。