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该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7mΩ的导通电阻（RDS(ON)），以及最高20V的栅源电压（VGS）。低导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件适用于高电流、高效率要求的开关电源、电池管理系统、服务器供电单元及便携式高功率设备等应用场景，在高频开关和持续大电流工作条件下均能保持稳定性能。
