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该N沟道MOSFET的连续漏极电流为70A，漏源击穿电压为100V，导通电阻为8.5毫欧，最大栅源电压为20V。器件在高电流条件下仍能维持较低的导通损耗，适用于对效率和热性能有要求的电源转换、电机驱动及高频开关电路等应用。其电气参数支持稳定可靠的开关操作，适合在紧凑型功率系统中使用。