-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具有优异的高频特性和高温稳定性，适用于对效率和开关速度要求较高的电源转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时低导通电阻有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。