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该N沟道碳化硅MOSFET具备15A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为260mΩ，栅源电压工作范围为-5V至!6V。器件采用碳化硅工艺，在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗，同时具有良好的热稳定性和抗干扰能力，适用于高效率电源、光伏逆变系统、不间断电源以及通信设备中的功率转换模块。