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该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达7.1A，导通电阻（RDS(ON)）为410mΩ。其栅源驱动电压范围为-8V至@0V，支持宽泛的驱动条件并具备良好的抗误触发能力。器件利用碳化硅材料优势，在高频开关应用中展现出低损耗与高效率特性，适用于高功率密度电源、可再生能源转换系统及各类高效电力电子设备。