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该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流能力，导通电阻（RDS(on)）为550mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至@0V，支持可靠的开关控制。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频工作条件下仍能维持较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统中的功率调节以及对体积和散热有严格要求的电力电子设备。