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该N沟道碳化硅MOSFET具有7.1A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为410mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源、光伏逆变系统、服务器电源及类似对热管理和能效有较高要求的电力电子应用。其负向栅压耐受能力有助于提升开关可靠性。