-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道MOSFET具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压驱动下导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5mΩ。其低导通阻抗有助于显著降低导通损耗，适用于高效率电源转换、电机控制及高频开关电路等应用场合。器件在大电流工作条件下仍能维持较低温升，适合对热性能和电能利用率要求较高的电子系统。
