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该N沟道场效应管（MOSFET）具备18A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧，栅源驱动电压（VGS）额定值为20V。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，适用于高效率电源转换和大电流开关场合。其电气特性支持在高频工作条件下保持稳定性能，常用于负载开关、同步整流及各类紧凑型电源模块中，满足对热管理和能效有较高要求的应用需求。
