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该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为8.6A，漏源击穿电压达800V，导通电阻为525mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，在高电压和中等电流条件下展现出较低的导通损耗与良好的开关性能，适用于高频电源转换、可再生能源系统及高效率电力电子设备。其宽栅压容限有助于提升驱动兼容性与系统稳定性。