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该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为9.3A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)为410mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具有较高的耐压能力和良好的开关性能，适用于中低功率的高效电源转换场合。其较宽的栅极驱动电压范围增强了与不同驱动电路的适配性，而明确的电气参数有助于在紧凑型设计中实现稳定可靠的开关操作。