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该N沟道碳化硅MOSFET具备20A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为160mΩ，栅源电压工作范围为-5V至!6V。其采用碳化硅材料，具有低开关损耗、高热导率和优异的高频特性，适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置以及对体积与能效有较高要求的电力电子应用。器件在高温环境下仍能保持稳定电气性能。