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该N沟道MOSFET具备150A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为1.4毫欧，栅源驱动电压额定值为20V。其超低RDS(ON)显著降低导通损耗，在高电流密度应用中可有效提升能效并减少发热。适用于对功率效率和热管理要求严苛的电源系统、电机控制及高性能计算设备中的电源转换模块。