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该N沟道场效应管（MOSFET）具有65A的连续漏极电流（ID）、60V的漏源击穿电压（VDSS）、8毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其参数组合在中等功率应用中提供了良好的导通效率与驱动兼容性，适用于对体积和热性能有一定要求的电源转换系统。器件可在高频开关条件下保持较低的损耗，适合用于开关电源、电机驱动及便携式高功率设备中的功率管理模块。
