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该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和18A的连续漏极电流（ID），在导通状态下其导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧，栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。器件采用标准N沟道结构，适用于对导通损耗和开关效率要求较高的电源管理、电机驱动及各类电子负载控制场景，其低阻特性有助于减少发热并提升系统整体能效。
