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该N沟道MOSFET的漏极连续电流（ID）为80A，漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）为4.7mΩ，栅源电压（VGS）最大额定值为20V。器件在高电流条件下保持较低的导通损耗，适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换、电池管理系统及各类开关电路中，能有效支持大电流负载的稳定运行。