VFT10200C-E3/4W-HXY_TO-220F_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220F
类别: 肖特基二极管
最小包装: 50/管装
参数1: IF:10A
参数2: VR:200V
参数3: VF:1.2V
参数4: IR:100uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该肖特基二极管采用1对共阴极结构,正向平均电流(IF)为10A,最大反向重复电压(VR)为200V。其正向压降(VF)为1.2V,反向漏电流(IR)典型值为100μA,具备良好的导通与阻断特性。器件可承受高达120A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM),适用于高频整流、开关电源输出级以及多路电源管理等场景,满足对效率和稳定性的要求。

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