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该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为15A，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为260mΩ，栅源电压工作范围为-5V至!6V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关和高温条件下仍能维持较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源系统，如通信设备供电、可再生能源转换装置及高频开关电源等应用场景。