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该N沟道碳化硅MOSFET具备15A的漏极电流能力与650V的漏源耐压，导通电阻为260mΩ，栅源电压工作范围为-5V至!6V。得益于碳化硅材料的高击穿场强和优异热导率，器件在高频开关应用中可显著降低导通及开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。其负向栅压容限有助于增强关断可靠性，提升在复杂电路环境中的稳定性。