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该N沟道MOSFET具备500V的漏源击穿电压（VDSS），在指定栅源驱动条件下导通电阻（RDS(ON)）为1300mΩ，连续漏极电流（ID）额定值为5A。由于其较高的耐压能力与适中的电流承载水平，适用于对电压应力要求较高的中小功率开关应用，例如电源适配器、照明驱动及各类通用电子设备中的功率控制环节。器件在保证安全工作区的同时，可满足多种电路拓扑对高侧或低侧开关的需求。
