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该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为500V，连续漏极电流（ID）为5A，导通电阻（RDS(ON)）为1300mΩ。器件在高耐压条件下提供稳定的开关性能，适用于对电压裕量要求较高的中小功率电子电路。典型应用场景包括开关电源、LED驱动、家用电器控制模块以及各类需要高侧或低侧开关功能的电子装置。其参数组合兼顾了耐压能力与导通特性，适合在有限散热条件下实现可靠运行。