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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和5.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为820mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至!9V，适用于对开关效率和热性能要求较高的电力电子场合。器件基于碳化硅材料，具备优异的高频特性和较低的开关损耗，在适配器、电源转换及高密度功率模块等应用中可实现紧凑设计与高效运行。