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该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为15A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类对体积与能效有较高要求的电力电子应用场合。