-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至7毫欧。其低RDS(ON)特性有助于减小导通损耗，提升整体效率，在高电流应用场景中表现出良好的热稳定性和功率处理能力。适用于对能效和空间布局有较高要求的电源管理、电池供电系统及各类电子负载开关场合。