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该N沟道碳化硅MOSFET具有15A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和高频开关特性，适用于高效率电源转换系统，如通信电源、光伏逆变器及高频DC-DC变换器等场合，在提升系统效率与功率密度方面表现突出。