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该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为4.2A，最大漏源电压达650V，导通电阻为1555mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，在高电压应用中展现出良好的耐压能力和热稳定性。其相对较高的导通电阻适用于对开关速度和损耗要求适中的场合，适合用于中小功率的电源管理、适配器及高效率转换模块等场景，能够在有限空间内实现可靠的功率控制。