-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道MOSFET具有90A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.5mΩ，在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。器件采用标准封装结构，适用于对导通损耗和开关效率要求较高的电源管理及功率转换场景。其低阻抗特性有助于减少发热，提升系统整体能效，适合用于高电流负载下的开关应用。
