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该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及7.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其参数组合适合中等功率的开关应用，在导通损耗与成本之间取得良好平衡。器件可应用于高效率电源模块、电池供电设备及各类需要紧凑布局的电力电子电路中，适用于对热管理和空间占用有一定要求的场合。
